核心技術

技術團隊介紹

史帝夫·賀席教授
史帝夫·賀席教授為世界研發奈米長晶技術的發明人及泰斗。他任教於美國新墨西哥州大學光電研究所以及高科技材料研究中心,擁有25年的光電研究經歷並出版了大量令業界驚喜的研究成果。他也榮任美國 IEEE 院士,並且參與世界性的業界計畫,包括普來茜,湯姆生,通用電氣集團等。史帝夫·賀席教授為我們的技術團隊總顧問。

彼得·沃倫格博士
彼得·沃倫格博士畢業于美國新墨西哥州大學光電研究所,並擁有15年世界性尖端雷射科研的經驗。彼得·沃倫格博士同時也擁有許多年設立高科技公司的經驗。其創辦的幾家高科技公司,曾經有接受美國最著名的半導體設備公司,美國應用材料公司及其它著名創投基金的注資。

張磊博士
張磊博士早期畢業於中國著名的國家重點大學北京大學,之後取得美國新墨西哥州大學電機工程學院研究所的博士學位,張磊博士擁有15年的光電科研經驗(包括鐳射,太陽能,以及 LEDS 等)他曾擔任於美國聖地亞國家實驗室研究員,也曾任職於美國工業界(安可公司,齊亞鐳射公司)。張磊博士目前擔任技術團隊的首席技術官。


技術發明介紹

我們附上奈米磊晶的技術發明以及應用的白皮書四份,方便業界以及投資人進行詳細的審查以及理解。

奈米晶光電已達成的世界性獨家專利技術新發明,主要是我們能生長無缺陷的氮化鎵(GaN)奈米立體結構,這就一勞永逸的解決了業界自創建以來的久懸技術困擾問題。我們已經證實了我們的新發明,能至少有效的解決生長缺陷10萬倍以上。

對比現有傳統技術,這一項新技術再套上 LED 奈米晶棒列陣的極限優化設計,將使該 LED 新器件大幅提升效能,可靠性,壽命,以及降低製造成本呈數倍之巨。

在更高的效益水準論述之,我們按事實綜合以下三點:

  1. MOCVD磊晶製程將大幅減少其步驟
    - 生產成本將大幅降低
  2. 無缺陷氮化鎵(GaN)奈米立體結構
    - 產品品質將大幅提升
  3. LED 器件自動的設計極限優化
    - 奈米立體磊晶列陣可自動提高數倍的發光功能

技術白皮書四份

第一份以及第二份論述了我們用 MOCVD 生長無缺陷氮化鎵奈米立體結構,並有序控制其結果,以及世界第一個奈米列陣的 LED 器件的內容,同時也證實了今後業界使用無缺陷奈米立體結構列陣技術的可行性。

第三份論述了我們的新技術與傳統的業界舊技術最根本利益建基的不同之處。

第四份論述了一個成本模型,我們的新技術為何及如何大大降低了 LED 器件的綜合製造成本,更同時大大的提升了其效能/成本比。


研究計畫介紹

我們預期在臺灣開展 18個月的聯合研究計畫,並預期在研究計畫結束的同時就已經進入第一期產品(Alpha Product)的推出,提供業界測試及採用。